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- 品牌:
AOS(美国万代)
- 分类:
场效应管
- MPQ: 3000
- 物料描述:
场效应管
- 详细参数:
收起
- 库存数量:
21000 pcs
- 库存类型:
现货
- 交期: 3-5天 pcs
- 价格:
- 秒杀价
¥
3.3
- 3000+
¥
2.05
详细参数
- 制造商 AOS
- 产品类别 MOSFET
- 包装 卷带、剪切带
- FET 类型 2 个 P 沟道(双)
- FET 功能 逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss) 30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 19 毫欧 @ 8A、10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250µA
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 39nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2600pF @ 15V
- 功率 - 最大值 2W
- 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型 SMD/SMT
- 封装 SOIC-8