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详细参数
- 制造商 AOS
- 产品类别 MOSFET
- 包装 卷带、剪切带
- FET 类型 2 个 P 沟道（双）
- FET 功能 逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss） 30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 19 毫欧 @ 8A、10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.8V @ 250µA
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 39nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2600pF @ 15V
- 功率 - 最大值 2W
- 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型 SMD/SMT
- 封装 SOIC-8
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